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三星與美國公司Silicon Frontline Technology合作。(示意圖/達志影像)

南韓大廠三星7月搶先量產3奈米制程晶片,卻傳出良率不超過 20%,根據韓媒《Naver》報導,三星已與美國公司Silicon Frontline Technology擴大合作,希望藉此提高晶片在生產過程中的良率,能超車勁敵臺積電。

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報導指出,三星過往4奈米和5奈米制程都存在良率相關的問題,包括三星代工廠製造的高通旗艦處理器Snapdragon 888、Snapdragon 8 Gen1都過熱,三星因此痛失大客戶,像是高通新款 Snapdragon 8 Gen 2全數獨家由臺積電拿下,輝達RTX 4000系列GPU也以臺積電5 奈米制程技術量產。

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三星不希望3奈米制程又出現上述這種情況,因此正擴大與Silicon Frontline Technology的合作關係。報導提到,Silicon Frontline Technology 提供晶片資格評估和靜電放電 (ESD) 預防技術,ESD是導致半導體晶片缺陷的一大原因,防止或減少ESD將有助於提高晶片良率。

報導稱,三星將Silicon Frontline Technology技術應用於晶片設計和生產過程中,已取得令人滿意的結果。三星如果設法提高先進製程的良率,結合其3奈米GAA架構,有機會與臺積電一較高下,並奪回大客戶訂單。

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